Главная » 2011»Апрель»15 » Intel и Micron представили 20-нанометровые чипы флэш-памяти
14:12
Intel и Micron представили 20-нанометровые чипы флэш-памяти
Совместное предприятие Intel и Micron по
производству чипов флэш-памяти (IM Flash Tech) продолжает внедрять новые
технологии. На этот раз производители анонсировали сверхтонкий
20-нанометровый техпроцесс для производства чипов. Разработка позволит
создавать экономичные накопители общей емкостью 8 Гб на основе
технологии MLC NAND (многоуровневая флэш-память).
20-нанометровые чипы сохраняют производительность
доступных в настоящий момент 25-нанометровых моделей. Тем не менее,
новая память занимает заметно меньше места и позволяет фабрикам
производить на 50% больше «гигабайт». 20-нанометровые чипы позволяют
разместить накопитель емкостью 8 Гб на площади 118 квадратных
миллиметров ― задействованное пространство уменьшается на 30-40% по
сравнению с площадью, занимаемой 25-нанометровыми чипами. Благодаря
подобным изменениям производители компактной техники смогут
устанавливать более емкие аккумуляторы и другие компоненты внутри своих
устройств.
Ожидается, что полномасштабное производство
20-нанометровой флэш-памяти на заводах IM Flash Tech начнется во второй
половине 2011 года. Примерно в то же время компании представят
накопители емкостью до 128 Гб, занимающие площадь обычной американской
почтовой марки.